電漿切割是在真空下進行乾式蝕刻，將晶圓製作成晶粒(晶粒化)的加工技術。在電漿切割上使用Bosch製程^※(參照圖)，實現了高速、高長寬比(aspect ratio)、以及狹窄切割道的晶粒製作。

類比元件和RFID等產品為了增加每片晶圓可以取得的晶粒數量，持續地致力於縮小切割道。對於小晶粒元件需求量高的可攜式設備和物聯網，也相較於以往需要更高的產能。再加上對於必須要有高品質加工的元件，如追求零缺陷的車用半導體元件等，都適用電漿切割的方式。
※1992年由德國Robert Bosch GmbH開發的方法

電漿切割的優點

1. 提高小晶粒元件的產能
   由於可同時加工晶圓上的所有切割道，因此即使是小晶粒元件也可維持高UPH。再加上可對應逐漸狹窄的切割道，所以晶粒取得的數量也可能提升。

2. 可對應各種形狀的加工
   由於採用乾式蝕刻的加工，因此可根據光罩的圖形製作成晶粒。

   

   

   

3. 高潔淨度製程
   電漿切割是一種透過化學反應的乾式蝕刻，而非機械加工，因此不會產生加工碎屑或熔融碎屑。

4. 晶粒強度的提升
   由於使用不會產生機械破壞，以及熱影響較小的電漿切割，因此可提升晶粒的強度。

應用例

迪思科可提供的全方位應用

在大部分晶圓的切割道上存在著阻礙電漿切割的薄膜或金屬。因此在電漿切割加工前，必需要有將這類障礙物先行除去的製程。從本公司長期培育的各式各樣加工技術和應用，可一次式提供形成矽晶圓至晶粒化的所有製程。

1. 背面研磨：利用背面研磨/拋光來薄化晶圓
2. 上膠膜：使用貼片機將難以搬送的薄晶圓貼在膠膜鐵框上
3. 雷射開槽：利用雷射機將切割道上的絕緣層(passivation)或TEG等金屬去除
4. 電漿切割：在貼附於膠膜鐵框狀態下進行電漿切割

應用實例

• 功率元件
• 發光二極體
• 無線射頻辨識系統
• 射頻濾波器
• 微機電系統
• 順態電壓抑制器（TVS二極體）等

---