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濕式拋光(如CMP等等)

解決方案

矽晶圓元件隨著IC封裝短小化,薄型化,內置晶粒也需要跟著薄化,因此為了提高強度,晶圓背面研磨後會進行應力釋放的製程。此外,用於高輝度LED藍寶石基板(Al2O3),高速通訊設備SAW等濾波用的鉭酸鋰基板(LiTaO3)/鈮酸鋰基板(LiNbO3)和用於功率元件的碳化矽基板(SiC)等,為了提升元件效能,背面研磨後會進行拋光。
在一般CMP(Chemical Mechanical Polishing, 化學機械拋光)設備中,為晶圓於上方研磨墊於下方放置的構造,迪思科設備則是以研磨墊於上方晶圓於下方的構置,並具有進給軸的構造,因而命名為「進給拋光(In-feed)研磨」,使用在Dry Polishing(乾式研磨)和Wet Polishing(具代表性的有使用藥液的CMP濕式拋光)。此次將介紹迪思科的濕式拋光,它除了可減少刮痕,鏡面化也提高了潔淨度。另外,依據材質也可達到Epi ready*1面的表面優化。

*1 Epi-ready:可對應磊晶成長的表面和材料

應力消除方法概
圖1. 應力消除方法概要

濕式拋光製程的特點

  • 低負荷,高轉速拋光
Processing image of wet polishing
圖2. Processing image of wet polishing

濕式拋光製程的效果

  • 鏡面優化加工
  • 高潔淨度
  • 根據材質,刮痕少,可實現Epi-ready的表面

應用範例

  • 用於晶圓製造(基板製造工程)的研磨
    • 碳化矽Silicon carbide(SiC)
    • 藍寶石Sapphire(Al2O3)
    • 鉭酸鋰 (LiTaO3) / 鈮酸鋰(LiNbO3)
  • 研磨後的應力釋放
    • 矽 (Si)
    • 藍寶石基板(Al2O3)
    • 鉭酸鋰 (LiTaO3) / 矽上的鉭酸鋰 (LiTaO3) on シリコン(Si)
    • 砷化鎵 (GaAs)
    • 磷化銦 (InP)
  • Cu-Cu bonding前拋光
  • 矽(Si) 晶圓的再生加工
Polishing rate with wet polishing
圖3. Polishing rate with wet polishing

可對應的機台

我們備有各式各樣的設備陣容,可配合客戶使用環境的高擴充性和實現廣泛應用的功能。


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