SiC晶圓（silicon carbide、碳化矽）屬耐高壓、低電力損耗的半導體材料、常被使用於功率元件。 碳化矽功率元件一般擁有縱向元件結構，透過將晶圓薄化可減低基板帶來的阻抗並提高能量轉化效率。 但因碳化矽的硬度較傳統矽晶圓高，屬難切削材料，故碳化矽在薄化上需要專屬的製程以及研磨輪。

SiC薄化製程例

2軸加工

粗研磨/細研磨的2軸研磨製程

4軸加工帶來更高產能

為規律加工時間而分散粗研磨製程，重視產能提升的製程

利用乾式拋光帶來的品質提升

2軸研磨後進行乾式拋光、為重視產品品質的製程

SiC晶圓加工例

SiC晶圓表面狀態比較（SEM影像）

以標準條件加工後，晶圓表面狀態的比較圖。
依序為粗研磨、細研磨、乾式拋光的順序，可以看到表面狀態趨於平整。

• 粗研磨後
• 細研磨後
• 乾式拋光後

圖：加工後SiC晶圓於掃描式電子顯微鏡(SEM)下的影像

SiC晶圓的抗折強度比較

以標準條件加工後，分別進行細研磨以及乾式拋光的抗折強度比較。
可以看出乾式拋光後的抗折強度有著顯著的提升。

抗折強度會隨晶圓或者加工條件而產生變化

推薦研磨輪

適用SiC晶圓的研磨輪　「GFSC Series」

SiC硬度高，難以有高品質且安定的研磨加工效果，需要有研磨效果更佳的研磨輪。
GFSC Series在SiC晶圓的粗研磨、細研磨上，實現了減低研磨帶來之負荷而提高加工安定性，並且加工品質提升及研磨輪壽命提升也是值得期待。

SiC晶圓對應之加工裝置

為滿足客戶對於產能及加工品質的期望，我們設有各式系列的裝置供您挑選。

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  DFG8540

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  DFG8640

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  DFG8830

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  DFG8761

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  DFP8140

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